Desarrollo de un sistema para caracterizar transistores de potencia (GaN, SiC y LDMOS)

En este trabajo de tesis se presenta el diseño e implementación de un sistema para caracterizar transistores de potencia. En los transistores de potencia encapsulados las terminales son anchas,  lo que implica una impedancia menor que 50 ?. La diferencia de impedancias entre el sistema de medición (...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: José Alfredo Ceseña Barrios
Other Authors: María del Carmen Maya Sánchez
Format: info:eu-repo/semantics/masterThesis
Language:spa
Published: CICESE 2015
Subjects:
Online Access:http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/260

CIC - Centro de Información y Conocimiento Johannes Gutenberg ®